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来 源： 内容来自半导体行业观察综合 。
三星电子在第三季度开始向公司交付期待已久的HBM3E芯片后，其下一代HBM4芯片明年的产量已全部售罄，这凸显了全球内存市场在人工智能服务器需求激增的推动下强劲复苏。
这家韩国内存巨头周四表示，其HBM3E芯片“目前正在量产并已售予所有相关客户”，证实其第五代高带宽内存已成功交付给英伟达。
韩国《经济日报》9月份曾报道，已通过英伟达对其12层HBM3E产品的认证测试，这是该公司长期以来梦寐以求的里程碑。
三星还表示，已向主要客户交付了下一代HBM4芯片的样品进行质量测试，并暗示其即将推出的第六代产品需求强劲，指出明年HBM芯片的预订量已超过其计划产量。
三星存储业务执行副总裁金在俊在公司第三季度财报电话会议上表示：“与今年相比，我们已大幅提高了明年的HBM产能，但客户需求仍然超过了供应。随着订单持续增长，我们正在考虑进一步扩大产能。”
三星股价在首尔交易时段上涨3.6%，收于104,100韩元（约合72.90美元）。三星在
一份声明中表示：“展望2026年，存储业务将专注于量产性能差异化的HBM4产品，同时致力于扩大HBM的销售规模。”
得益于高性能HBM芯片需求的强劲复苏，三星存储业务公布截至9月底的三个月内，季度营收创下26.7万亿韩元的历史新高。
强劲的销售增长主要来自HBM芯片、双倍数据速率5（DDR5）内存、图形DDR7（GDDR7）内存以及服务器用固态硬盘。
该公司表示，高价值存储芯片的需求主要由人工智能服务器推动，而人工智能领域的投资周期仍在持续。
这一业绩提振了三星半导体业务部门——器件解决方案（DS）的整体利润。
该部门实现营收33.1万亿韩元，营业利润7万亿韩元，分别同比增长13%和3%。
三星表示，强劲的需求推高了存储器价格，同时一次性库存调整减少，是业绩增长的主要驱动因素。
三星预计，人工智能的快速发展将持续推动对其高价值内存和先进逻辑芯片的需求。
这家韩国芯片巨头表示，将积极响应人工智能和传统服务器的需求，推出HBM3E、高密度企业级固态硬盘和先进内存产品，同时扩大服务器内存产品（例如128GB DDR5和24GB GDDR7芯片）的销售。
SK海力士2026年的芯片订单已经售罄
就韩国 SK 海力士而言，高带宽存储器 (HBM) 是一种高收入存储器；2025 年第三季度收入为 24.449 万亿韩元（171 亿美元），同比增长 39%，净利润为 12.598 万亿韩元（88 亿美元），同比增长 118.9%。
SK海力士每1美元的收入中，超过一半都是纯利润。其内部营业利润率首次突破10万亿韩元（约合70亿美元），创下公司历史新高。这得益于HBM3E 12GB及以上高容量显存和DDR5服务器内存的强劲销售，季度营收也创下历史新高。128GB及以上容量的DDR5内存出货量较上一季度增长超过一倍。
首席财务官金宇铉表示：“随着人工智能技术的创新，内存市场已经转变为一种新的模式，需求也开始扩展到所有产品领域。”
这种情况很可能会持续下去。SK海力士表示，明年的HBM供应谈判已经完成。下一代HBM4将于今年第四季度开始出货，并计划明年全面扩大销售规模。事实上，明年所有DRAM和NAND产品的需求都已得到保障。这意味着SK海力士的HBM、标准DRAM和NAND产能实际上已经售罄至2026年。
由于人工智能驱动的数据中心建设热潮，内存需求异常旺盛，导致内存供应无法满足需求，进而推高了价格和利润。其结果之一是，截至第三季度末，公司现金及现金等价物较上一季度增加110.9万亿韩元（约合776亿美元），达到127.9万亿韩元（约合895亿美元）。与此同时，公司计息债务为124.1万亿韩元（约合869亿美元），使其成功实现净现金头寸13.8万亿韩元（约合97亿美元）。
这些数字异常之高，而且很可能还会继续攀升。该公司表示：“随着人工智能市场迅速向推理驱动型工作负载转型，人们越来越关注将人工智能服务器的计算负载分布到更广泛的基础设施（例如通用服务器）上。预计这一趋势将进一步扩大对整个内存产品组合的需求，包括高性能DDR5和eSSD。”此外，“全球领先的人工智能厂商近期宣布的一系列战略合作和人工智能数据中心扩建计划，也为这一趋势提供了进一步的推动力。”
SK海力士计划提升其存储器产能，并将增加其最高密度321层TLC和QLC NAND产品的产量。Wedbush分析师Matt Bryson预计，到2026年底，321层产品的产量将占该公司NAND闪存总产量的50%以上。
这些结果表明，其他内存供应商，例如三星和美光，也应该会取得良好的业绩。
美光公司预计，将售罄
存储器制造商美光科技表示，其明年生产的所有高带宽内存（HBM）的订单已接近全部售出。不出所料，该公司还预测其利润率将有所提高。
在公司2025年第四季度财报电话会议上，首席执行官桑杰·梅赫罗特拉表示，美光目前已有六家客户订购其HBM产品，几乎所有客户都已同意“就2026年HBM3E供应的绝大部分达成定价协议”。该公司还“正在与客户积极洽谈HBM4的规格和数量，我们预计将在未来几个月内达成协议，售罄2026年剩余的HBM供应总量”。
美光公司约占全球DRAM和HBM产量的三分之一。
Mehrotra 还表示，美光科技在本财年取得了骄人的成绩，营收、毛利率和盈利均高于此前的预期。
第四季度营收达113.2亿美元，较去年同期增长46%。全年营收增长48%至374亿美元。公司云存储业务部门（包括HBM和其他高端产品）营收增长213%，达到45亿美元。年度净利润预计从2024财年的7.78亿美元增长至85亿美元。
云存储部门的毛利率从 49% 跃升至 59%。
该公司预计DDR内存的利润率也会上升。
首席商务官苏米特·萨达纳表示，美光观察到“客户方面存在严重的短缺”。
“当然，随着这种短缺状况的持续，利润率也大幅提高了，”他补充道。
美光预测 2026 年第一季度营收将达到 125 亿美元，上下浮动 3 亿美元。
该公司还表示，其在2025财年的资本支出为180亿美元，并预计明年也将支出相同数额，远高于2024财年的130亿美元。“其中绝大部分用于DRAM、建设和设备，”首席财务官马克·墨菲表示，他还表示，美光认为DRAM市场有很大的增长空间。
如此巨大的资本支出引人注目，因为它表明，并非只有超大规模数据中心运营商才会斥巨资建设数据中心，以抓住人工智能浪潮的机遇。美光不断扩大的利润率也表明，超大规模数据中心运营商愿意为人工智能应用所需的内存支付溢价……这意味着，如果您采用云端人工智能基础设施，您的账单也会随之增加。
美光的部分资本支出将用于在美国建设制造工厂，这是一项重要的举措，因为该公司目前的大部分产品都在海外生产。萨达纳表示，公司的预测尚未考虑美国新关税政策的影响。“我们将在政策公布后做出应对，”他说。
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今天是《半导体行业观察》为您分享的第4211期内容，欢迎关注。
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